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产品分类
产品简介
项 目 (Item) | 标 准 (Spec) | ||
电学性能 electronic characters | |||
导电类型(type) | P型(B dopant) | N型(P dopant) | |
电阻率(resistivity annealed)(Ω·cm) | 1.0~3.0 | 0.2~2.0;0.8~5;1~15;(custom as required) | |
电阻率不均匀性(inhomogeneity of resistivity) | ≤15% | ≤25% | |
硅片少子寿命(lifetime)(μs) | ≥10.0 | ≥500.0 | |
氧含量(oxygen)(ppma) | ≤20 | ||
碳含量(carbon)(ppma) | ≤1 | ||
晶体结构 crystal structure | |||
晶向(orientation) | o | ||
缺陷(swirl and OSF-ring) | 无(none) | ||
位错密度(dislocation density)(cm-2) | ≤3000 | ||
表面质量 appearance | |||
硅落、V缺口、孪晶、裂纹、沾污、针孔 (crack, V-shape,twin, stain,pinhole) | 无(none) | ||
崩边(edge chips)(mm) | ≤0.5*0.3, no more than 2/wafer | ||
线痕(saw marks)(μm) | ≤15.0 | ||
弯曲度(bow)(μm ) | ≤50.0 | ||
翘曲度(warp)(μm ) | ≤50.0 | ||
硅片尺寸 dimension | |||
边长&直径(length and diameter)(mm) | 156.75 | 210 | |
硅片厚度(thickness)(μm) | 180 | 200 | |
TV(μm) | 200 | ±15.0 | |
180 | ±15.0 | ||
TTV(μm) | 200 | 30 | |
180 | 25 | ||
直线段的垂直度(verticality of side) | 90o±0.3o | ||
包装与储运 package and carriage | |||
包装(package) | 1盒400片;1箱1600片;1托48000片。 | ||
400pcs/box,1600pcs/case,48Kpcs/pallet | |||
储存(Storage) | 温度(temperature.):10℃~40℃ | ||
湿度(humidity):≤60% |
主导产品包括单晶硅生长炉、区熔炉、金刚石生长炉等光伏及半导体设备,直拉单晶硅棒及硅片、区熔单晶硅棒及硅片等光伏产品,光伏发电和风力发电等新能源发电项目及蜂窝式中低温SCR烟气脱硝催化剂。主导产品包括单晶硅生长炉、区熔炉、金刚石生长炉等光伏及半导体设备,直拉单晶硅棒及硅片、区熔单晶硅棒及硅片等光伏产品,光伏发电和风力发电等新能源发电项目及蜂窝式中低温SCR烟气脱硝催化剂。
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